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SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

não conforme

SIRA58ADP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.56465 -
6,000 $0.53814 -
15,000 $0.51920 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32.3A (Ta), 109A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3030 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BSS138Q-7-F
BSS138Q-7-F
$0 $/pedaço
IRF9640SPBF
IRF9640SPBF
$0 $/pedaço
SIHH20N50E-T1-GE3
IRFS4615TRLPBF
IRFR020TRPBF
IRFR020TRPBF
$0 $/pedaço
FDP19N40
FDP19N40
$0 $/pedaço
SI3433CDV-T1-E3

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