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SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8

compliant

SIRA28BDP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.21227 -
6,000 $0.19858 -
15,000 $0.18488 -
30,000 $0.17530 -
752 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta), 38A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 582 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BUK766R0-60E,118
RSS100N03FRATB
R6009JNXC7G
R6009JNXC7G
$0 $/pedaço
ZXMP6A16KTC
ZXMP6A16KTC
$0 $/pedaço
PSMN6R9-100YSFX
FCPF1300N80Z
FCPF1300N80Z
$0 $/pedaço
PSMN3R5-30YL,115
FDD6796
FDD6796
$0 $/pedaço
CSD17573Q5BT
CSD17573Q5BT
$0 $/pedaço
VMO1200-01F
VMO1200-01F
$0 $/pedaço

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