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SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK

não conforme

SIRA20DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.74620 -
6,000 $0.71117 -
15,000 $0.68614 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 81.7A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) +16V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10850 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

STB55NF06T4
STB55NF06T4
$0 $/pedaço
DMP3020LSS-13
G06N10
G06N10
$0 $/pedaço
IRF840
IRF840
$0 $/pedaço
SI7143DP-T1-GE3
IXFT18N100Q3
IXFT18N100Q3
$0 $/pedaço
APT39F60J
APT39F60J
$0 $/pedaço
FQPF5N80
NVMFS5C426NWFAFT3G
NVMFS5C426NWFAFT3G
$0 $/pedaço
FQU5N60CTU
FQU5N60CTU
$0 $/pedaço

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