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SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

compliant

SIRA18DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27120 -
6,000 $0.25360 -
15,000 $0.24480 -
30,000 $0.24000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1000 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMN3053L-7
DMN3053L-7
$0 $/pedaço
IRF9640PBF
IRF9640PBF
$0 $/pedaço
FQD5N60CTM
FQD5N60CTM
$0 $/pedaço
IPT020N10N5ATMA1
CSD15380F3T
CSD15380F3T
$0 $/pedaço
HUFA76639P3
APTM100UM45DAG
FDP6670AL

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