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SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8

não conforme

SIRA18ADP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.16787 -
6,000 $0.15764 -
15,000 $0.14741 -
30,000 $0.14024 -
75,000 $0.13950 -
26481 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1000 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 14.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMP2039UFDE-7
SI7190DP-T1-GE3
IPL60R365P7AUMA1
SIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E-GE3
$0 $/pedaço
QS5U12TR
QS5U12TR
$0 $/pedaço
SQ3427EV-T1_BE3
BSZ0703LSATMA1
SFT1458-TL-H
SFT1458-TL-H
$0 $/pedaço

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