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SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR870ADP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.06988 -
6,000 $1.03275 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2866 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

STFI12N60M2
STFI12N60M2
$0 $/pedaço
2SK3019-TP
2SK3019-TP
$0 $/pedaço
IXFQ26N50P3
IXFQ26N50P3
$0 $/pedaço
PMPB20EN,115
PMPB20EN,115
$0 $/pedaço
CSD19536KTTT
CSD19536KTTT
$0 $/pedaço
FQPF11P06
FQPF11P06
$0 $/pedaço
R6042JNZ4C13
R6042JNZ4C13
$0 $/pedaço
BUK7Y102-100B,115
R6515ENXC7G
R6515ENXC7G
$0 $/pedaço

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