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SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK

compliant

SIR826BDP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3030 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SQA470EJ-T1_GE3
DMNH4005SCT
DMNH4005SCT
$0 $/pedaço
STB33N60DM2
STB33N60DM2
$0 $/pedaço
FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/pedaço
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/pedaço
SQM120N03-1M5L_GE3
DMT6005LSS-13
HUF75623P3
SPB04N60C3E3045A

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