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SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SOT-23

não conforme

SIR826ADP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.29970 -
6,000 $1.25460 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2800 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTHS4111PT1
NTHS4111PT1
$0 $/pedaço
IPA80R1K2P7XKSA1
IRFP254PBF
IRFP254PBF
$0 $/pedaço
DMP1012UCB9-7
TN2130K1-G
TN2130K1-G
$0 $/pedaço
IRFR2905ZTRPBF
IRF640PBF
IRF640PBF
$0 $/pedaço
BUK7Y153-100EX

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