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SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

não conforme

SIR696DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.64206 -
6,000 $0.61192 -
15,000 $0.59038 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 125 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1410 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTMFS024N06CT1G
NTMFS024N06CT1G
$0 $/pedaço
NTMFSC0D9N04CL
NTMFSC0D9N04CL
$0 $/pedaço
MTDF1C02HDR2
MTDF1C02HDR2
$0 $/pedaço
FCMT099N65S3
FCMT099N65S3
$0 $/pedaço
IRFP4568PBF
STH275N8F7-6AG
SI3429EDV-T1-GE3
STL8N80K5
STL8N80K5
$0 $/pedaço

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