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SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8

compliant

SIR616DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.70192 -
6,000 $0.66896 -
15,000 $0.64542 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 7.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1450 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FQPF16N25C
FQPF16N25C
$0 $/pedaço
SIR570DP-T1-RE3
STB34NM60N
STB34NM60N
$0 $/pedaço
BUZ111S
BUZ111S
$0 $/pedaço
RM80N60DF
RM80N60DF
$0 $/pedaço
STP6N62K3
STP6N62K3
$0 $/pedaço
FDMS8680
FDMS8680
$0 $/pedaço

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