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SIR584DP-T1-RE3

SIR584DP-T1-RE3

SIR584DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIR584DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.65000 $1.65
500 $1.6335 $816.75
1000 $1.617 $1617
1500 $1.6005 $2400.75
2000 $1.584 $3168
2500 $1.5675 $3918.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24.7A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2800 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 83.3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRFI9640GPBF
IRFI9640GPBF
$0 $/pedaço
SIR150DP-T1-RE3
IRFI3205PBF
APT20M120JCU3
IRFIB6N60APBF
IRFIB6N60APBF
$0 $/pedaço
SIHJ7N65E-T1-GE3
FQB4N20TM
FCP13N60N
FCP13N60N
$0 $/pedaço

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