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SIR512DP-T1-RE3

SIR512DP-T1-RE3

SIR512DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

não conforme

SIR512DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.23000 $2.23
500 $2.2077 $1103.85
1000 $2.1854 $2185.4
1500 $2.1631 $3244.65
2000 $2.1408 $4281.6
2500 $2.1185 $5296.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25.1A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6W (Ta), 96.2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

PXP011-20QXJ
PXP011-20QXJ
$0 $/pedaço
BUK9E2R3-40E,127
BUK9E2R3-40E,127
$0 $/pedaço
BUZ111SL-E3045A
FQPF9N50T
SI2301BDS-T1-GE3
PHB110NQ08T,118
PHB110NQ08T,118
$0 $/pedaço
FSS145-TL-E
FSS145-TL-E
$0 $/pedaço
NTB75N03RT4
NTB75N03RT4
$0 $/pedaço

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