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SIR482DP-T1-GE3

SIR482DP-T1-GE3

SIR482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

não conforme

SIR482DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1575 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRFR9014
IRFR9014
$0 $/pedaço
IRFR220BTM
IRF7457TR
IRF7457TR
$0 $/pedaço
IRFR3708
IRFR3708
$0 $/pedaço
BUK7907-55AIE,127
IRLL3303TR
FDA79N15
FDA79N15
$0 $/pedaço
DKI03038
DKI03038
$0 $/pedaço
IRF710STRL
IRF710STRL
$0 $/pedaço

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