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SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

compliant

SIR424DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.44280 -
6,000 $0.42201 -
15,000 $0.40716 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1250 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRFB17N50LPBF
IRFB17N50LPBF
$0 $/pedaço
SPU07N60S5
SIHD6N62E-GE3
SIHD6N62E-GE3
$0 $/pedaço
BSC882N03LSG
IRFPC60LCPBF
IRFPC60LCPBF
$0 $/pedaço
UJ4C075033B7S
UJ4C075033B7S
$0 $/pedaço
APT5024SLLG/TR

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