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SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

compliant

SIR414DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.83213 -
6,000 $0.80325 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4750 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

G12P04K
G12P04K
$0 $/pedaço
BUK7M22-80EX
BUK7M22-80EX
$0 $/pedaço
SI4447DY-T1-GE3
BUK7M10-40EX
BUK7M10-40EX
$0 $/pedaço
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
$0 $/pedaço
VN1206L-G-P002

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