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SIR186LDP-T1-RE3

SIR186LDP-T1-RE3

SIR186LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

não conforme

SIR186LDP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
2560 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1980 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI4425BDY-T1-GE3
RQ5C035BCTCL
RQ5C035BCTCL
$0 $/pedaço
SIS476DN-T1-GE3
DMN53D0U-7
DMN53D0U-7
$0 $/pedaço
IPP60R099C7XKSA1
SQJ174EP-T1_GE3

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