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SIR178DP-T1-RE3

SIR178DP-T1-RE3

SIR178DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK

não conforme

SIR178DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.81000 $1.81
500 $1.7919 $895.95
1000 $1.7738 $1773.8
1500 $1.7557 $2633.55
2000 $1.7376 $3475.2
2500 $1.7195 $4298.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Ta), 430A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (máx.) +12V, -8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 12430 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.3W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRL640STRRPBF
IRL640STRRPBF
$0 $/pedaço
PMV250EPEAR
PMV250EPEAR
$0 $/pedaço
IRF7739L1TRPBF
RM10N100S8
RM10N100S8
$0 $/pedaço
FQP11N40C
FQP11N40C
$0 $/pedaço
CSD18563Q5AT
CSD18563Q5AT
$0 $/pedaço
SIHP4N80E-GE3
SIHP4N80E-GE3
$0 $/pedaço

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