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SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

não conforme

SIR167DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.49823 -
6,000 $0.47484 -
15,000 $0.45813 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 111 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4380 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 65.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTMFS6H852NLT1G
NTMFS6H852NLT1G
$0 $/pedaço
SIRA72DP-T1-GE3
IRFR24N15DTRPBF
FDD5353
FDD5353
$0 $/pedaço
IRL2910STRLPBF
BUK6D43-40PX
BUK6D43-40PX
$0 $/pedaço
RRQ045P03TR
RRQ045P03TR
$0 $/pedaço
IRFP260PBF
IRFP260PBF
$0 $/pedaço
FQU6N25TU

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