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SIJA52ADP-T1-GE3

SIJA52ADP-T1-GE3

SIJA52ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK

não conforme

SIJA52ADP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.65764 -
6,000 $0.62676 -
15,000 $0.60471 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 41.6A (Ta), 131A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.63mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5500 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BUK9Y12-100E,115
PSMN9R0-30YL,115
PSMN9R0-30YL,115
$0 $/pedaço
APT41M80B2
APT41M80B2
$0 $/pedaço
SCT4062KW7HRTL
FDP060AN08A0
FDP060AN08A0
$0 $/pedaço
FDB8160
FDB8160
$0 $/pedaço
NTTFS4941NTWG
NTTFS4941NTWG
$0 $/pedaço
IXTA1N100
IXTA1N100
$0 $/pedaço
STS10P4LLF6
STS10P4LLF6
$0 $/pedaço

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