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SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

compliant

SIJ186DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.54120 -
6,000 $0.51579 -
15,000 $0.49764 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Ta), 79.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.6V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1710 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

AUIRFSL8407
SISH892BDN-T1-GE3
BUK6Y10-30PX
BUK6Y10-30PX
$0 $/pedaço
DMT4005SCT
DMT4005SCT
$0 $/pedaço
IPD60R650CEAUMA1
IPA80R360P7XKSA1
SI8487DB-T1-E1
SI8487DB-T1-E1
$0 $/pedaço
RV2C010UNT2L
RV2C010UNT2L
$0 $/pedaço
BSC050NE2LSATMA1
AUIRF4104
AUIRF4104
$0 $/pedaço

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