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SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD

compliant

SIHW33N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.39000 $7.39
10 $6.60000 $66
480 $4.88400 $2344.32
960 $3.96000 $3801.6
1,440 $3.69600 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3508 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD
pacote / caixa TO-3P-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

ZXMN4A06GTA
ZXMN4A06GTA
$0 $/pedaço
PH8030L,115
PH8030L,115
$0 $/pedaço
BUK9M53-60EX
BUK9M53-60EX
$0 $/pedaço
DI9956T
DI9956T
$0 $/pedaço
PMPB10XNEAX
PMPB10XNEAX
$0 $/pedaço
IRFR9014PBF
IRFR9014PBF
$0 $/pedaço

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