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SIHS36N50D-GE3

SIHS36N50D-GE3

SIHS36N50D-GE3

Vishay Siliconix

D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,

não conforme

SIHS36N50D-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.91000 $6.91
500 $6.8409 $3420.45
1000 $6.7718 $6771.8
1500 $6.7027 $10054.05
2000 $6.6336 $13267.2
2500 $6.5645 $16411.25
480 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 36A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 130mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 125 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3233 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 446W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFR210TRRPBF
IRFR210TRRPBF
$0 $/pedaço
STH410N4F7-2AG
FQD3N60CTM-WS
FQD3N60CTM-WS
$0 $/pedaço
PMV213SN,215
PMV213SN,215
$0 $/pedaço
STU10N60M2
STU10N60M2
$0 $/pedaço
SIRA52DP-T1-GE3
PMPB11R2VPX
PMPB11R2VPX
$0 $/pedaço
SIHD7N60ET5-GE3
FQN1N50CTA
FQN1N50CTA
$0 $/pedaço

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