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SIHP23N60E-GE3

SIHP23N60E-GE3

SIHP23N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB

não conforme

SIHP23N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.39000 $3.39
500 $3.3561 $1678.05
1000 $3.3222 $3322.2
1500 $3.2883 $4932.45
2000 $3.2544 $6508.8
2500 $3.2205 $8051.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2418 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

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