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SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB

compliant

SIHP11N80AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.12000 $2.12
500 $2.0988 $1049.4
1000 $2.0776 $2077.6
1500 $2.0564 $3084.6
2000 $2.0352 $4070.4
2500 $2.014 $5035
937 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 804 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

TN2124K1-G
TN2124K1-G
$0 $/pedaço
R8003KND3TL1
R8003KND3TL1
$0 $/pedaço
IRFL9014TRPBF-BE3
IRFSL7440PBF
IXTX8N150L
IXTX8N150L
$0 $/pedaço
LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750
$0 $/pedaço
STD3N62K3
STD3N62K3
$0 $/pedaço

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