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SIHK065N60E-T1-GE3

SIHK065N60E-T1-GE3

SIHK065N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

compliant

SIHK065N60E-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.96000 $7.96
500 $7.8804 $3940.2
1000 $7.8008 $7800.8
1500 $7.7212 $11581.8
2000 $7.6416 $15283.2
2500 $7.562 $18905
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 34A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 68mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2946 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 192W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK®10 x 12
pacote / caixa 8-PowerBSFN
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Número da peça relacionada

FQPF4N20
FDMS86540
FDMS86540
$0 $/pedaço
STP32NM50N
STP32NM50N
$0 $/pedaço
SIHFR9120-GE3
SIHFR9120-GE3
$0 $/pedaço
RM2305
RM2305
$0 $/pedaço
NTMFS0D8N02P1ET1G
NTMFS0D8N02P1ET1G
$0 $/pedaço
DMT4008LFV-13
SQD19P06-60L_GE3
NTGS5120PT1G
NTGS5120PT1G
$0 $/pedaço

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