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SIHJ240N60E-T1-GE3

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SIHJ240N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8

não conforme

SIHJ240N60E-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.37511 -
6,000 $1.32418 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 783 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 89W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRF353
IRF353
$0 $/pedaço
FCPF7N60NT
FCPF7N60NT
$0 $/pedaço
SI2318DS-T1-GE3
HUF76121P3
SIHD6N65ET1-GE3
FKP252
FKP252
$0 $/pedaço
STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/pedaço
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/pedaço

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