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SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

compliant

SIHF7N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.16955 -
2,000 $1.09365 -
5,000 $1.05570 -
10,000 $1.03500 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 680 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 31W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

FDS8876
FDS8876
$0 $/pedaço
PSMN5R6-100XS,127
PSMN5R6-100XS,127
$0 $/pedaço
ISL9N327AD3ST
IRFH8307TRPBF
IXFH14N60P
IXFH14N60P
$0 $/pedaço
PMN70XP115
PMN70XP115
$0 $/pedaço

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