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SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

não conforme

SIHB24N65EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.87000 $6.87
10 $6.15600 $61.56
100 $5.08680 $508.68
500 $4.16016 $2080.08
1,000 $3.54240 -
3,000 $3.37608 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2774 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHH11N60EF-T1-GE3
VP3203N3-G
VP3203N3-G
$0 $/pedaço
SUM110N10-09-E3
FQP7N20
FQP7N20
$0 $/pedaço
IXTA100N04T2-TRL
IXTA100N04T2-TRL
$0 $/pedaço
IRFIZ14GPBF
IRFIZ14GPBF
$0 $/pedaço
IRFBC40PBF-BE3
IRFBC40PBF-BE3
$0 $/pedaço

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