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SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

compliant

SIHB12N60ET1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.35000 $2.35
10 $2.13100 $21.31
100 $1.72530 $172.53
500 $1.35676 $678.38
1,000 $1.13565 -
2,500 $1.06195 -
5,000 $1.02510 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 937 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 147W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STW33N60M6
STW33N60M6
$0 $/pedaço
IRF9333TRPBF
NVMFSC0D9N04CL
NVMFSC0D9N04CL
$0 $/pedaço
VP2106N3-G
VP2106N3-G
$0 $/pedaço
NTD78N03T4G
NTD78N03T4G
$0 $/pedaço
APT26F120B2
SUM110P04-05-E3

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