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SIHA6N65E-GE3

SIHA6N65E-GE3

SIHA6N65E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 650V

não conforme

SIHA6N65E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.14000 $2.14
500 $2.1186 $1059.3
1000 $2.0972 $2097.2
1500 $2.0758 $3113.7
2000 $2.0544 $4108.8
2500 $2.033 $5082.5
1000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1640 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 31W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

STP170N8F7
STP170N8F7
$0 $/pedaço
VN0104N3-G
VN0104N3-G
$0 $/pedaço
IPP048N04NGXKSA1
SIR688DP-T1-GE3
STL70N4LLF5
STL70N4LLF5
$0 $/pedaço
APT84F50L
APT84F50L
$0 $/pedaço
FDPF44N25T
FDPF44N25T
$0 $/pedaço
FQB25N33TM

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