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SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

SOT-23

não conforme

SIHA6N65E-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.24000 $2.24
10 $2.02000 $20.2
100 $1.62360 $162.36
500 $1.26280 $631.4
1,000 $1.04632 -
3,000 $0.97416 -
5,000 $0.93808 -
5 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1640 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 31W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

STB27NM60ND
STB27NM60ND
$0 $/pedaço
2N7002T-7-F
2N7002T-7-F
$0 $/pedaço
FCP190N65F
FCP190N65F
$0 $/pedaço
PHT6N06LT,135
PHT6N06LT,135
$0 $/pedaço
DMG6402LVT-7
SI6423ADQ-T1-GE3
NVMFS5C430NLAFT1G
NVMFS5C430NLAFT1G
$0 $/pedaço
SI2307CDS-T1-E3
BSC889N03MSG

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