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SIHA25N60EFL-GE3

SIHA25N60EFL-GE3

SIHA25N60EFL-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

não conforme

SIHA25N60EFL-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.96000 $4.96
500 $4.9104 $2455.2
1000 $4.8608 $4860.8
1500 $4.8112 $7216.8
2000 $4.7616 $9523.2
2500 $4.712 $11780
1000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 146mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2274 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

GKI04031
GKI04031
$0 $/pedaço
FDMS86320
FDMS86320
$0 $/pedaço
FQP19N20C
FQP19N20C
$0 $/pedaço
SFT1350-TL-H
SFT1350-TL-H
$0 $/pedaço
APT50M65JFLL
NTE464
NTE464
$0 $/pedaço
IPP65R660CFD
RM25P30S8
RM25P30S8
$0 $/pedaço

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