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SIHA22N60AE-GE3

SIHA22N60AE-GE3

SIHA22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

compliant

SIHA22N60AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.79000 $3.79
500 $3.7521 $1876.05
1000 $3.7142 $3714.2
1500 $3.6763 $5514.45
2000 $3.6384 $7276.8
2500 $3.6005 $9001.25
1000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1451 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

FQD5N60CTM-WS
FQD5N60CTM-WS
$0 $/pedaço
NVH4L160N120SC1
NVH4L160N120SC1
$0 $/pedaço
BVSS84LT1G
BVSS84LT1G
$0 $/pedaço
RD3P175SNFRATL
AUIRFN8405TR
CSD23201W10
CSD23201W10
$0 $/pedaço
STF11NM50N
STF11NM50N
$0 $/pedaço
SQJA92EP-T1_GE3
STP141NF55
STP141NF55
$0 $/pedaço

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