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SIHA12N50E-E3

SIHA12N50E-E3

SIHA12N50E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220

SOT-23

não conforme

SIHA12N50E-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.03395 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 886 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 32W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G
$0 $/pedaço
SIHFR9024TR-GE3
IRFR420TRRPBF
IRFR420TRRPBF
$0 $/pedaço
STP220N6F7
STP220N6F7
$0 $/pedaço
IPU95R3K7P7AKMA1
HUFA75623S3ST
IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF
$0 $/pedaço
STD95N2LH5
STD95N2LH5
$0 $/pedaço
FDC645N
FDC645N
$0 $/pedaço

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