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SIE820DF-T1-GE3

SIE820DF-T1-GE3

SIE820DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK

não conforme

SIE820DF-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.42000 $2.42
500 $2.3958 $1197.9
1000 $2.3716 $2371.6
1500 $2.3474 $3521.1
2000 $2.3232 $4646.4
2500 $2.299 $5747.5
730 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 143 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4300 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 10-PolarPAK® (S)
pacote / caixa 10-PolarPAK® (S)
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Número da peça relacionada

2N7002P,215
2N7002P,215
$0 $/pedaço
STS1NK60Z
STS1NK60Z
$0 $/pedaço
PSMN3R0-60PS,127
STD16N65M5
STD16N65M5
$0 $/pedaço
SI7615DN-T1-GE3
SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3
$0 $/pedaço
MMDF6N02HDR2
MMDF6N02HDR2
$0 $/pedaço
BUK6C2R1-55C,118

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