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SIDR626DP-T1-RE3

SIDR626DP-T1-RE3

SIDR626DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

não conforme

SIDR626DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.02000 $3.02
500 $2.9898 $1494.9
1000 $2.9596 $2959.6
1500 $2.9294 $4394.1
2000 $2.8992 $5798.4
2500 $2.869 $7172.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 42.8A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5130 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

C3M0120090J-TR
C3M0120090J-TR
$0 $/pedaço
STP90N6F6
STP90N6F6
$0 $/pedaço
SIR172ADP-T1-GE3
STL33N60M2
STL33N60M2
$0 $/pedaço
APT40M70LVRG
STN2NF10
STN2NF10
$0 $/pedaço
NTD4808NT4G
NTD4808NT4G
$0 $/pedaço

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