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SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

compliant

SIDR626DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.36323 -
6,000 $1.31274 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 42.8A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5130 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

AUIRF2903ZSTRL
IRFR210BTF
PSMN009-100B,118
SI2304DDS-T1-BE3
DMN67D8LW-7
DMN67D8LW-7
$0 $/pedaço
STL40N75LF3
STL40N75LF3
$0 $/pedaço
STL13N60M6
STL13N60M6
$0 $/pedaço
RSM002N06T2L
RSM002N06T2L
$0 $/pedaço
FQP44N10
FQP44N10
$0 $/pedaço

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