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SIDR500EP-T1-RE3

SIDR500EP-T1-RE3

SIDR500EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIDR500EP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.61000 $3.61
500 $3.5739 $1786.95
1000 $3.5378 $3537.8
1500 $3.5017 $5252.55
2000 $3.4656 $6931.2
2500 $3.4295 $8573.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 94A (Ta), 421A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.47mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (máx.) +16V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8960 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI2337DS-T1-GE3
NTE2987
NTE2987
$0 $/pedaço
FDB8445
FDB8445
$0 $/pedaço
NVTYS010N04CLTWG
NVTYS010N04CLTWG
$0 $/pedaço
IRLHM620TRPBF
FDD6778A
SISA14BDN-T1-GE3
RF6E045AJTCR
RF6E045AJTCR
$0 $/pedaço

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