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SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

compliant

SIB414DK-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 26mOhm @ 7.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14.03 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 732 pF @ 4 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-75-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-75-6
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Número da peça relacionada

IRF5305STRR
IPU60R600C6BKMA1
IRFBC40AS
IRFBC40AS
$0 $/pedaço
IRF7460TRPBF
ZVN3320ASTOB

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