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SIA456DJ-T3-GE3

SIA456DJ-T3-GE3

SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

não conforme

SIA456DJ-T3-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.44055 $0.44055
500 $0.4361445 $218.07225
1000 $0.431739 $431.739
1500 $0.4273335 $641.00025
2000 $0.422928 $845.856
2500 $0.4185225 $1046.30625
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

DMN3024SFG-7
NTTFS6H880NTAG
NTTFS6H880NTAG
$0 $/pedaço
RF1S45N03L
RF1S45N03L
$0 $/pedaço
R6002ENHTB1
R6002ENHTB1
$0 $/pedaço
DMN67D8LT-13
NTMFS4931NT1G-IRH1
NTMFS4931NT1G-IRH1
$0 $/pedaço
NTMT125N65S3H
NTMT125N65S3H
$0 $/pedaço
IPB320P10LMATMA1
FCP165N65S3R0

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