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SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE

não conforme

SIA4263DJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
50 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.5A (Ta), 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 52.2 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1825 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

BSS123K-13
BSS123K-13
$0 $/pedaço
NTMSD2P102R2SG
NTMSD2P102R2SG
$0 $/pedaço
STD7N65M6
STD7N65M6
$0 $/pedaço
SCT4013DRC15
SCT4013DRC15
$0 $/pedaço
DMT6015LFV-7
FDS6064N3
SISA01DN-T1-GE3
IRFS3107TRLPBF

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