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SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

não conforme

SIA414DJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.44280 -
6,000 $0.42201 -
15,000 $0.40716 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 800mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 4 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

IRFB4019PBF
IPD11DP10NMATMA1
STF35N65M5
STF35N65M5
$0 $/pedaço
SQJ479EP-T1_GE3
DMP45H4D9HK3-13
STW50N65DM2AG
RM150N150HD
RM150N150HD
$0 $/pedaço

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