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SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK

compliant

SIA110DJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.43181 -
6,000 $0.41154 -
15,000 $0.39706 -
1 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.4A (Ta), 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 55mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

IRF9510STRLPBF
IRF9510STRLPBF
$0 $/pedaço
IXFP12N65X2
IXFP12N65X2
$0 $/pedaço
FQD17N08LTM
BUK7S0R7-40HJ
BUK7S0R7-40HJ
$0 $/pedaço
IXFP20N50P3M
IXFP20N50P3M
$0 $/pedaço
SIR5102DP-T1-RE3
PMPB20XNEAX
PMPB20XNEAX
$0 $/pedaço

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