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SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

não conforme

SI9945BDY-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.40494 -
5,000 $0.37866 -
12,500 $0.36552 -
25,000 $0.35835 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 60V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.3A
rds em (máx.) @ id, vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 665pF @ 15V
potência - máx. 3.1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

ZXMHC6A07T8TA
ZXMN3AM832TA
NTHD4502NT1
NTHD4502NT1
$0 $/pedaço
FDC6322C
FDC6321C
FDC6321C
$0 $/pedaço
DMN62D0UDWQ-13

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