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SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT

não conforme

SI8821EDB-T2-E1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.14339 -
6,000 $0.13470 -
15,000 $0.12601 -
30,000 $0.11558 -
75,000 $0.11123 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 135mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 440 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 4-Microfoot
pacote / caixa 4-XFBGA, CSPBGA
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Número da peça relacionada

SI1021R-T1-GE3
SI1021R-T1-GE3
$0 $/pedaço
SIHP15N60E-GE3
SIHP15N60E-GE3
$0 $/pedaço
NDD60N360U1T4G
NDD60N360U1T4G
$0 $/pedaço
IRL3705ZPBF
FDB7030BL-ON
FDB7030BL-ON
$0 $/pedaço
RRR030P03HZGTL
STL7N80K5
STL7N80K5
$0 $/pedaço
IXTT82N25P
IXTT82N25P
$0 $/pedaço
IRF5802TRPBF

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