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SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

compliant

SI7960DP-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 60V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.2A
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.4W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa PowerPAK® SO-8 Dual
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8 Dual
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Número da peça relacionada

SIA778DJ-T1-GE3
FDS6894AZ
FDS6894AZ
$0 $/pedaço
SI6544BDQ-T1-E3
SIA911EDJ-T1-GE3
IRF8313PBF
PHKD3NQ10T,518
APTM10TDUM19PG
NTHD2102PT1G
NTHD2102PT1G
$0 $/pedaço

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