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SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

compliant

SI7888DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 12.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.5 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRF730AS
IRF730AS
$0 $/pedaço
IRFI9530G
IRFI9530G
$0 $/pedaço
SI3879DV-T1-GE3
IRFPS29N60LPBF
IRFPS29N60LPBF
$0 $/pedaço
IXTP74N15T
IXTP74N15T
$0 $/pedaço
SI4172DY-T1-GE3
CPH3340-TL-E
CPH3340-TL-E
$0 $/pedaço
NVD3055L170T4G
NVD3055L170T4G
$0 $/pedaço
IRF1324LPBF

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