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SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

não conforme

SI7888DP-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 12.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.5 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BUZ103SL-E3045A
IPP054NE8NGHKSA2
IRFL024N
IRFL024N
$0 $/pedaço
IXTP72N20T
IXTP72N20T
$0 $/pedaço
FQI9N08TU
FQI9N08TU
$0 $/pedaço
IPA60R450E6XKSA1
BUK9237-55,118
BUK9237-55,118
$0 $/pedaço
IRF7416PBF
IRFR3303TR

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