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SI7820DN-T1-E3

SI7820DN-T1-E3

SI7820DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

compliant

SI7820DN-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.67601 -
6,000 $0.64427 -
15,000 $0.62160 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

NVHL160N120SC1
NVHL160N120SC1
$0 $/pedaço
SIS447DN-T1-GE3
CSD18532NQ5BT
CSD18532NQ5BT
$0 $/pedaço
IXFH26N50P3
IXFH26N50P3
$0 $/pedaço
IXTP32P20T
IXTP32P20T
$0 $/pedaço
STL56N3LLH5
STL56N3LLH5
$0 $/pedaço
STD60NF06T4
STD60NF06T4
$0 $/pedaço
SI3499DV-T1-GE3

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