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SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

compliant

SI7686DP-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.47921 -
6,000 $0.45671 -
15,000 $0.44064 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1220 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

2SK4221
2SK4221
$0 $/pedaço
APT5016BLLG
BUK964R7-80E,118
DMTH4014SPSW-13
R5019ANJTL
R5019ANJTL
$0 $/pedaço
RM60N30DF
RM60N30DF
$0 $/pedaço
AUIRFN7107TR
IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
$0 $/pedaço

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